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供应 SI6562CDQ-T1-GE3 MOSFET
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FET 类型N 和 P 沟道FET 功能逻辑电平门漏源电压（Vdss）20V25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.7A，6.1A不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）22 毫欧 @ 5.7A，4.5V不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）1.5V @ 250?A不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）23nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）850pF @ 10V功率 - zui大值1.6W，1.7W工作温度-55?C ~ 150?C（TJ）安装类型表面贴装型封装/外壳8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装8-TSSOP基本产品编号SI6562
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